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氮化硅有何特点?等离子表面处理设备是如何刻蚀氮化硅的?

返回列表 来源:AG真人平台 浏览: 发布日期:2019-09-18 15:13【
文章导读:氮化硅,即Si3N4,是目前较为热门的新材料之一,其具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特色,在诸多范畴都有运用。在晶圆制作中,氮化硅是能够代替氧化硅使用的。
氮化硅(Si3N4)的材料特点:氮化硅是当前较为热门的新材料之一,具有密度小、硬度大、弹性模量高、热稳定性好等特点,在诸多范畴都有使用。在晶圆制作中,氮化硅可代替氧化硅使用,因其硬度高,可在晶圆外表形成十分薄的氮化硅薄膜(在硅片加工中,使用zui为广泛的描绘薄膜厚度的单位是埃),厚度约在数十埃,保护外表,防止划伤,此外其杰出的绝缘强度和抗氧化才能也能够很好地达到阻隔的作用。氮化硅的流动性不如氧化物,因此较为难以刻蚀,采用等离子外表处理设备的刻蚀工艺可以克服刻蚀上的难点。
 氮化硅的形貌-AG真人平台等离子AG真人平台下载
等离子体刻蚀是通过化学作用或者物理作用,又或者是物理和化学的共同作用来完成的。反应过程是通过反应腔室内的气体通过辉光放电,从而形成包含离子、电子及游离基等活性物质的等离子体,因其具有扩散性,会吸附到介质的表面,从而与介质表面原子发生化学反应,形成挥发性物质。与此同时,高能离子会在一定压力下对介质表面进行物理轰击以及刻蚀,来去除再沉积的反应产品和聚合物。经过化学和物理的共同作用来完成对介质层的刻蚀。
等离子刻蚀在半导体集成电路中的工艺步骤-AG真人平台等离子AG真人平台下载 
等离子体刻蚀在晶圆制作工艺中是非常重要的一种,也是微电子IC制作工艺以及微纳制作工艺中的一种相当重要的步骤,一般是在光刻胶涂布以及光刻显影之后,通过将光刻胶作为掩膜,等离子体经过物理溅射和化学作用来将AG真人平台并不需要的金属去除,光刻胶在这过程中就相当于反应的保护膜,其意图是为了构成与光刻胶图形相同的线路图形。等离子表面处理设备的刻蚀工艺是目前主流的干式刻蚀,因其具有较好的刻蚀速率以及良好的方向性,现在已逐步代替传统的湿法刻蚀。
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